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CSD88539ND
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY3.130 (CNY3.5369) |
| 1000+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 5000+ | CNY2.580 (CNY2.9154) |
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产品信息
制造商产品编号CSD88539ND
库存编号3125083RL
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续15A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道15A
在电阻RDS（上）0.023ohm
连续漏极电流 Id P沟道15A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.023ohm
漏源导通电阻P沟道0.023ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd2.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道2.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
The CSD88539ND is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
15A
连续漏极电流 Id N沟道
15A
连续漏极电流 Id P沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.023ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.023ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.1W
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726