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AS6C1616-55TIN
SRAM, 异步, 16 Mbit, 1024K x 16位, TSOP-I, 48 引脚, 2.7 V
已停产
产品信息
制造商产品编号AS6C1616-55TIN
库存编号4260923
技术数据表
SRAM类型异步
存储密度16Mbit
记忆配置1024K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-I
针脚数48引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS6C1616-55TIN is a 1024K X 16bit low-power CMOS SRAM. It is a 16,777,216bit CMOS static random access memory organized as 1,048,576 words by 16 bits. It is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well-designed for low-power applications and particularly well-suited for battery back-up non-volatile memory applications.
- Fast access time is 55ns
- Low power consumption: 45mA (typ) operating current, 10µA (typ) standby current
- Single 2.7V to 3.6V power supply
- All inputs and outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.2V (minimum)
- 2.7 to 3.6V voltage range (VCC)
- 48pin TSOP-I package
- Industrial operating temperature range from -40 to 85°C
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
1024K x 16位
针脚数
48引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
存储密度
16Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-I
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003624