AS4C1G16D4-062BCN

AS4C1G16D4-062BCN DDR4 SDRAM是一款高速动态随机存取存储器，内部配置为x16配置的八个内存库DRAM。该DDR4 SDRAM采用8n预取架构实现高速运行。 该架构结合专为I/O引脚设计的双数据字每时钟周期传输接口。DDR4 SDRAM的单次读写操作包含：内部DRAM核心执行单次8n位宽、四时钟周期数据传输，同时I/O引脚执行两次对应的n位宽、半时钟周期数据传输。

• 片上、内部、可调VREFDQ生成，VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
• 1.2V 伪开漏 I/O，8 个内部内存库（x16）： 2 组，每组 4 个内存库
• 8n位预取架构，可编程数据选通前导
• 数据选通信号前导训练、命令/地址延迟 (CAL)、命令/地址 (CA) 奇偶校验
• 多功能寄存器读写功能、写入均衡、自刷新模式
• 低功耗自动自刷新(LPASR)、温控刷新(TCR)
• 精细粒度刷新、自刷新中止、最大功率节省、输出驱动器校准
• 数据总线采用标称、驻留及动态片上终端（ODT）与数据总线反转（DBI）
• 数据总线写入循环冗余校验（CRC）、单DRAM地址可寻址性、符合JEDEC JESD-79-4标准
• 96-ball FBGA 封装，商用温度范围为 0°C 至 95°C