Popular Suppliers
特殊应用开发套件:
找到 259 件产品查看
采购
工程师
制造商
硅芯制造商
无线充电电路类型
无线电源标准
硅芯号
套件应用类型
应用系统子类型
IC 外壳 / 封装
针脚数
套件内容
产品范围
包装
未使用筛选条件
0 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY258.930 (CNY292.5909) | STMicroelectronics | - | - | VN9006AJ | 电源管理 | 高压侧驱动器 | - | - | 评估板 VN9006AJ | - | |||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY258.990 (CNY292.6587) | STMicroelectronics | - | - | VN9012AJ | 电源管理 | 高压侧驱动器 | - | - | 评估板 VN9012AJ | - | |||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY258.990 (CNY292.6587) | STMicroelectronics | - | - | VN9016AJ | 电源管理 | 高压侧驱动器 | - | - | 评估板 VN9016AJ | - | |||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY258.930 (CNY292.5909) | STMicroelectronics | - | - | VND9025AJ | 电源管理 | 高压侧驱动器 | - | - | 评估板 VND9025AJ | - | |||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY271.730 (CNY307.0549) | STMicroelectronics | - | - | VNQ9025AJ | 电源管理 | 高压侧驱动器 | - | - | 评估板 VNQ9025AJ | - | |||||
每个 | 1+ CNY3,337.300 (CNY3,771.149) | Rohm Semiconductor | - | - | BM3G007MUV-LBE2 | 电源管理 | GaN HEMT功率阶段 | - | - | 评估板 BM3G007MUV-LBE2 | - | ||||||
每个 | 1+ CNY186.000 (CNY210.180) | Rohm Semiconductor | - | - | BM3G007MUV-LBE2 | 电源管理 | GaN HEMT功率阶段 | - | - | 评估板 BM3G007MUV-LBE2 | - | ||||||
每个 | 1+ CNY144.550 (CNY163.3415) | Rohm Semiconductor | - | - | BM3G015MUV-LBE2 | 电源管理 | GaN HEMT功率阶段 | - | - | 评估板 BM3G015MUV-LBE2 | - | ||||||
每个 | 1+ CNY670.500 (CNY757.665) | Infineon | - | - | 1ED3142MU12F | 电源管理 | IGBT/MOSFET栅极驱动器 | - | - | 评估板 1ED3142MU12F | - | ||||||
4349239 | 每个 | 1+ CNY1,322.640 (CNY1,494.5832)5+ CNY1,190.380 (CNY1,345.1294)10+ CNY1,136.170 (CNY1,283.8721) | Infineon | - | - | 1EDI3050AS | 电源管理 | IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动 | - | - | 评估板 1EDI3050AS | - | |||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY1,031.530 (CNY1,165.6289) | Infineon | - | - | 1EDB9275F, 2EDN7533B | 电源管理 | 隔离栅极驱动器 | - | - | 评估板 1EDB9275F, 2EDN7533B | - | |||||
4349240 | 每个 | 1+ CNY1,039.180 (CNY1,174.2734) | Infineon | - | - | 1EDI3051AS | 电源管理 | IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动 | - | - | 评估板 1EDI3051AS | - | |||||
每个 | 1+ CNY1,021.220 (CNY1,153.9786) | Infineon | - | - | IGC033S10S1, 1EDN7126G | 电源管理 | 栅极驱动器及氮化镓晶体管 | - | - | 半桥评估板 IGC033S10S1，1EDN7126G | - | ||||||
每个 | 1+ CNY2,499.620 (CNY2,824.5706) | Infineon | - | - | FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M | 电源管理 | 隔离栅极驱动器 | - | - | 评估板 1ED3890MC12M | - | ||||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY3,158.600 (CNY3,569.218) | STMicroelectronics | - | - | STM32H743ZG, STM32G431RB | 处理控制器 | 可编程逻辑控制器 (PLC)，SIL3 | - | - | 母板 STEVAL-SILKTA01 和 2 x 子板 STEVAL-SILKTB01 | - | |||||
每个 | 1+ CNY620.610 (CNY701.2893)5+ CNY543.040 (CNY613.6352)10+ CNY486.930 (CNY550.2309) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY799.880 (CNY903.8644) | Infineon | - | - | 2ED2742S01G | 电源管理 - 电池 | MOSFET栅极驱动器 | - | - | 评估板 2ED2742S01G, 逆变器电源板 | - | |||||
每个 | 1+ CNY49,043.940 (CNY55,419.6522) | Infineon | - | - | FS1150R08A8P3 | 电源管理 | IGBT功率模块 | - | - | 评估板 FS1150R08A8P3 | - | ||||||
4354421 | 每个 | 1+ CNY369.540 (CNY417.5802) | Infineon | - | - | 2ED2106S06F | 电源管理 | IGBT/MOSFET栅极驱动器 | - | - | 评估板 2ED2106S06F | - | |||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY1,069.110 (CNY1,208.0943) | Infineon | - | - | 1EDL8011 | 电源管理 | 高压侧 MOSFET 栅极驱动器 | - | - | 评估板 1EDL8011 | - | |||||
4410837 RoHS | INFINEON | 每个 | 1+ CNY838.610 (CNY947.6293) | Infineon | - | - | IHW25N140R5L | 电源管理 | IGBT | - | - | 评估板 IHW25N140R5L | - | ||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY475.440 (CNY537.2472) | STMicroelectronics | - | - | STGAP4S | 电源管理 | 隔离栅极驱动器 | - | - | 0 | - | |||||
每个 | 1+ CNY734.410 (CNY829.8833) | Infineon | - | - | 2EP130R | 电源管理 | 变压器驱动器 | - | - | 评估板 2EP130R | - | ||||||
4410818 RoHS | INFINEON | 每个 | 1+ CNY575.870 (CNY650.7331) | Infineon | - | - | 2ED2410-EM | 电源管理 | MOSFET栅极驱动器 | - | - | 评估主板 2ED2410-EM，EB 2ED2410 3D 1BCD/1BCS/1BCDP/1BCSP 子板 | - | ||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY144.360 (CNY163.1268) | Infineon | - | - | S28HL512T | 存储器 | 闪存 | - | - | 评估板 S28HL512T | - | |||||
