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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号BM3G007MUV-EVK-003
库存编号4240700
技术数据表
硅芯制造商Rohm Semiconductor
套件应用类型电源管理
应用系统子类型GaN HEMT功率阶段
套件内容评估板 BM3G007MUV-LBE2
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BM3G007MUV-EVK-003 is a 650V GaN HEMT power stage BM3G007MUV evaluation board. The BM3G007MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G007MUV (GaN FET (650V 70mohm), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET.
- Power supply voltage range from 6.25V to 35V
- Drain voltage max is 650V
- VDD quiescent current is 0.24mA (max)
- Positive-going input threshold of 2V and negative-going input threshold of 1.55V max
- Output current range 2 is 20V/ns
- Operating temperature range from -10 to +65°C
技术规格
硅芯制造商
Rohm Semiconductor
套件应用类型
电源管理
套件内容
评估板 BM3G007MUV-LBE2
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
硅芯号
BM3G007MUV-LBE2
应用系统子类型
GaN HEMT功率阶段
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001