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套件内容
针脚数
产品范围
包装
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | 每个 | 1+ CNY1,221.070 (CNY1,379.8091) | - | Infineon | 6EDL04I065PR | - | 电源管理 | 三相栅极驱动器 | - | 评估板 6EDL04I065PR | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY4,181.640 (CNY4,725.2532) | - | Infineon | IMZA65R050M2H, IPW60R017C7, 2EDF7275F, XMC1404-LQFP-64 | - | 电源管理 | 服务器和电信电源 | - | 评估板 IMZA65R050M2H，IPW60R017C7，2EDF7275F，XMC1404-LQFP-64 | - | - | ||||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY237.500 (CNY268.375) | - | STMicroelectronics | ST33KTPM2X32DKG9 | - | 安全型 | 可信平台模块 (TPM) | - | 评估板 ST33KTPM2X32DKG9 | - | - | |||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY2,203.290 (CNY2,489.7177) | - | Infineon | 2EDL803x-F5B | - | 电源管理 | MOSFET栅极驱动器 | - | 评估板 EiceDRIVER 2EDL803x-F5B | - | - | |||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY1,057.630 (CNY1,195.1219) | - | Infineon | 2EDB8259Y | - | 电源管理 | MOSFET栅极驱动器 | - | 评估板 2EDB8259Y | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY479.930 (CNY542.3209) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||
每个 | 1+ CNY4,397.390 (CNY4,969.0507) | - | Rohm Semiconductor | GNP2130TEC-ZE2 | - | 电源管理 | GaN HEMT功率阶段 | - | 评估板 GNP2130TEC-ZE2 | - | - | ||||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY2,568.500 (CNY2,902.405) | - | Infineon | TLE9166EQ | - | 电源管理 - 电机控制 | 门控 | - | 评估板 TLE9166EQ | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY1,067.890 (CNY1,206.7157) | - | Infineon | IGC033S10S1, 1EDN7136U | - | 电源管理 | 栅极驱动器及氮化镓晶体管 | - | 半桥评估板 IGC033S10S1，1EDN7126G | - | - | ||||||
4370075 | INFINEON | 每个 | 1+ CNY1,386.450 (CNY1,566.6885) | - | Infineon | iSSI30R11H | - | 电源管理 | 固态隔离器 | - | 评估板 iSSI30R11H 带 2x CoolMOS MOSFET IPQC60R010S7 | - | - | ||||
MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) | 每个 | 1+ CNY375.240 (CNY424.0212) | - | 单片电源系统 | MPQ79500FSGQE-0000-AEC1 | - | 电源管理 | 电压监控器 | - | 评估板 MPQ79500FSGQE-0000-AEC1 | - | - | |||||
4410758 RoHS | 每个 | 1+ CNY1,083.100 (CNY1,223.903) | - | Infineon | 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS | - | 电源管理 | SiC MOSFET 栅极驱动器 | - | 评估板 1EDI3030AS，1EDI3031AS ，1EDI3033AS | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY154.640 (CNY174.7432) | - | Rohm Semiconductor | BM3G115MUV-LB | - | 电源管理 | GaN HEMT功率阶段 | - | 评估板 BM3G115MUV-LB | - | - | ||||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY1,137.960 (CNY1,285.8948) | - | Infineon | 1EDI3028AS | - | 电源管理 | IGBT栅极驱动器 | - | 评估板 EiceDRIVER 1EDI3028AS | - | - | |||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY43,484.740 (CNY49,137.7562) | - | Infineon | FS02MR12A8MA2B | - | 电源管理 | SiC MOSFET模块 | - | 评估板 FS02MR12A8MA2B | - | - | |||||
STMICROELECTRONICS | 每个 | 1+ CNY428.300 (CNY483.979) | - | STMicroelectronics | STDRIVEG610Q | - | 电源管理 | 半桥栅极驱动器 | - | 评估板 STDRIVEG610Q | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY1,712.980 (CNY1,935.6674) | - | Infineon | 2EDL8033-G3C, 2EDL8034-G3C | - | 电源管理 | MOSFET栅极驱动器 | - | 评估板 2EDL8033-G3C, 2EDL8034-G3C | - | - | ||||||
每个 | 1+ CNY1,021.220 (CNY1,153.9786) | - | Infineon | IGC033S10S1, 1EDN7126G | - | 电源管理 | 栅极驱动器及氮化镓晶体管 | - | 半桥评估板 IGC033S10S1，1EDN7126G | - | - | ||||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY2,063.050 (CNY2,331.2465) | - | Infineon | IKWH40N65WR6 | - | 电源管理 | 功率因数校正 (PFC) | - | 评估板 IKWH40N65WR6 | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY670.500 (CNY757.665) | - | Infineon | 2EP130R | - | 电源管理 | 变压器驱动器 | - | 评估板 2EP130R | - | - | ||||||
4410811 RoHS | INFINEON | 每个 | 1+ CNY2,578.820 (CNY2,914.0666) | - | Infineon | 2ED4820-EM | - | 电源管理 | MOSFET栅极驱动器 | - | 开关评估板 2ED4820-EM | - | - | ||||
RENESAS | 每个 | 1+ CNY1,358.570 (CNY1,535.1841) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
INFINEON | 每个 | 1+ CNY690.870 (CNY780.6831) | - | Infineon | 2ED3146MC12L | - | 电源管理 | 隔离栅极驱动器 | - | 评估板 2ED3146MC12L，1 个跳线电缆，1 个螺丝端子块插头连接器 | - | - | |||||
4354422 | 每个 | 1+ CNY399.940 (CNY451.9322) | - | Infineon | 2ED21814S06F | - | 电源管理 | MOSFET栅极驱动器 | - | 评估板 2ED21814S06F | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY670.500 (CNY757.665) | - | Infineon | 1ED3142MU12F | - | 电源管理 | IGBT/MOSFET栅极驱动器 | - | 评估板 1ED3142MU12F | - | - | ||||||
