RDGD3160I3PH5EVB

三相逆变器参考设计与评估板，搭载六个用于 IGBT/SiC MOSFET 器件的 GD3160 栅极驱动器。该板支持 SPI 菊花链通信，可独立编程和与三个高侧栅极驱动器及三个低侧栅极驱动器通信，并配备故障管理及支持电路。 该评估套件旨在连接兼容的 HybridPACK™ Drive SIC/IGBT 模块或 onsemi VE-trac™ IGBT 模块，用于完整的三相逆变器应用开发。

• 采用 GD3160 的 HP 驱动器三相参考设计
• GD3160 用于 IGBT 和 SiC MOSFET 的先进单通道栅极驱动器
• 集成电隔离信号（高达 8KV）
• 用于安全监控、配置和诊断报告的 SPI 接口
• 从低压和高压域进行故障安全状态管理，用户可选择安全状态
• 可配置的去饱和和电流检测，专为保护 SiC 和 IGBT 而优化
• 集成 ADC，用于监控高压域的参数
• 通过 ISO 26262 认证，支持 ASIL D 级功能安全

内容

三相逆变器参考设计与评估板，快速入门指南。