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100V 双MOSFET:
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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
在电阻RDS（上）
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY25.210 (CNY28.4873)10+ CNY18.200 (CNY20.566)100+ CNY15.310 (CNY17.3003)500+ CNY13.340 (CNY15.0742)1000+ CNY8.890 (CNY10.0457)更多价格信息... | - | N通道 | 100V | 100V | - | 6A | 0.025ohm | - | 6A | - | 0.033ohm | - | 10V | DFN5045 | 2.5V | 900mW | 12引脚 | - | 900mW | - | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY0.810 (CNY0.9153)500+ CNY0.645 (CNY0.7288)1000+ CNY0.535 (CNY0.6046)5000+ CNY0.492 (CNY0.556) | N沟道 | N通道 | 100V | 100V | 100V | 270mA | - | 3.4ohm | 270mA | 270mA | 6ohm | 表面安装 | 10V | U-DFN2020 | 2V | - | 6引脚 | 1W | 1W | 1W | 150°C | ||||||
