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DMHT10H032LFJ-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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| 10+ | CNY7.880 (CNY8.9044) |
| 100+ | CNY7.610 (CNY8.5993) |
| 500+ | CNY7.480 (CNY8.4524) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMHT10H032LFJ-13
库存编号3589313
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds P沟道-
漏源接通状态电阻0.025ohm
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道-
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
功率耗散900mW
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN5045
针脚数12引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
6A
Rds(on)测试电压
10V
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
6A
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2.5V
功率耗散
900mW
晶体管封装类型
DFN5045
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121