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IMBG65R010M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY160.270 (CNY181.1051) |
| 5+ | CNY148.470 (CNY167.7711) |
| 10+ | CNY136.660 (CNY154.4258) |
| 50+ | CNY127.420 (CNY143.9846) |
| 100+ | CNY118.170 (CNY133.5321) |
| 250+ | CNY115.810 (CNY130.8653) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
158A
漏源接通状态电阻
9100µohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
535W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001629