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RFD12N06RLESM9A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 50+ | CNY5.610 (CNY6.3393) |
| 100+ | CNY4.430 (CNY5.0059) |
| 500+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 1000+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
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多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号RFD12N06RLESM9A
库存编号1095139
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.063ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散49W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The RFD12N06RLESM is an UltraFET N-channel Power MOSFET with ultra-low ON-resistance.
- Temperature compensated PSPICE®/SABER© electrical, SPICE/SABER© thermal impedance simulation models
- Peak current vs. pulse width curve
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
49W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.063ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00111