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STD17NF03LT4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 50+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 100+ | CNY2.950 (CNY3.3335) |
| 500+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 1000+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
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产品信息
制造商产品编号STD17NF03LT4
库存编号1291958
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压16V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散30W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STD17NF03LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- Low gate charge at 100°C
- Application oriented characterization
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
16V
功率耗散
30W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041