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20.5A 单MOSFET:
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通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.250 (CNY14.9725)10+ CNY7.850 (CNY8.8705)100+ CNY5.810 (CNY6.5653)500+ CNY4.580 (CNY5.1754)1000+ CNY3.730 (CNY4.2149)更多价格信息... | 合计:CNY13.25 最少：1 / 多个：1 | P通道 | 30V | 20.5A | 6250µohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 2.5V | 5.6W | 8引脚 | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY5.810 (CNY6.5653)500+ CNY4.580 (CNY5.1754)1000+ CNY3.730 (CNY4.2149)5000+ CNY3.640 (CNY4.1132) | 合计:CNY581.00 最少：100 / 多个：1 | P通道 | 30V | 20.5A | 6250µohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 2.5V | 5.6W | 8引脚 | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | |||||
