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SI4151DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4151DY-T1-GE3
库存编号3954174RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续20.5A
漏源接通状态电阻0.00625ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散5.6W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
20.5A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.00625ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001