360W IGBT单晶体管:

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集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
3438361

RoHS

每个
1+
CNY249.540
(CNY281.9802)
5+
CNY218.350
(CNY246.7355)
10+
CNY180.920
(CNY204.4396)
50+
CNY162.200
(CNY183.286)
100+
CNY159.220
(CNY179.9186)
最少:1 / 多个:1
80A
2.8V
360W
1.7kV
TO-247
3引脚
150°C
通孔
BIMOSFET
3930485

RoHS

每个
1+
CNY206.470
(CNY233.3111)
最少:1 / 多个:1
80A
2.8V
360W
1.7kV
TO-268 (D3PAK)
3引脚
150°C
表面安装
BiMOSFET系列
1-2 项,共 2 项
,共 1 页

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