360W IGBT单晶体管:
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制造商
连续集电极电流
集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY249.540 (CNY281.9802)5+ CNY218.350 (CNY246.7355)10+ CNY180.920 (CNY204.4396)50+ CNY162.200 (CNY183.286)100+ CNY159.220 (CNY179.9186) | 最少:1 / 多个:1 | 80A | 2.8V | 360W | 1.7kV | TO-247 | 3引脚 | 150°C | 通孔 | BIMOSFET | |||||
每个 | 1+ CNY206.470 (CNY233.3111) | 最少:1 / 多个:1 | 80A | 2.8V | 360W | 1.7kV | TO-268 (D3PAK) | 3引脚 | 150°C | 表面安装 | BiMOSFET系列 |