360W IGBT单晶体管:
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连续集电极电流
集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY223.790 (CNY252.8827)5+ CNY205.420 (CNY232.1246)10+ CNY187.040 (CNY211.3552)50+ CNY175.330 (CNY198.1229)100+ CNY163.610 (CNY184.8793) | 最少:1 / 多个:1 | 80A | 2.8V | 360W | 1.7kV | TO-247 | 3引脚 | 150°C | 通孔 | BIMOSFET | |||||
每个 | 1+ CNY265.150 (CNY299.6195)5+ CNY250.010 (CNY282.5113)10+ CNY234.870 (CNY265.4031)50+ CNY219.730 (CNY248.2949)100+ CNY204.590 (CNY231.1867) | 最少:1 / 多个:1 | 80A | 2.8V | 360W | 1.7kV | TO-268 (D3PAK) | 3引脚 | 150°C | 表面安装 | BiMOSFET系列 | |||||

