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IXBT42N170
IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 引脚
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXBT42N170
库存编号3930485
产品范围BiMOSFET系列
技术数据表
连续集电极电流80A
集电极-发射极饱和电压2.8V
功率耗散360W
最大集电极发射电压1.7kV
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装表面安装
产品范围BiMOSFET系列
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
High voltage, high gain BIMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in switched-mode and resonant-mode power supplies, Uninterruptible power supplies (UPS), laser generator, capacitor discharge circuit, AC switches applications.
- High blocking voltage
- Low conduction losses
- Low gate drive requirement
- High power density
技术规格
连续集电极电流
80A
功率耗散
360W
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
工作温度最高值
150°C
产品范围
BiMOSFET系列
集电极-发射极饱和电压
2.8V
最大集电极发射电压
1.7kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001