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CY62167EV30LL-45BVXIT
SRAM, 异步SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, VFBGA, 48 引脚, 2.2 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 25+ | CNY110.050 (CNY124.3565) |
| 50+ | CNY107.540 (CNY121.5202) |
| 100+ | CNY105.030 (CNY118.6839) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62167EV30LL-45BVXIT
库存编号2908570RL
也称为SP005638763, CY62167EV30LL-45BVXIT
技术数据表
存储器容量16Mbit
SRAM类型异步SRAM
SRAM 内存配置1M x 16位
存储密度16Mbit
电源电压范围2.2V 至 3.6V
记忆配置1M x 16bit
封装类型VFBGA
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数48引脚
电源电压最小值2.2V
存取时间45ns
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY62167EV30LL-45BVXIT是一款高性能CMOS静态RAM，可配置为16位×100万字或8位×200万字。其先进电路设计实现超低工作电流，特别适用于手机等便携设备实现"延长电池寿命™"（MoBL®）功能。 该器件还具备自动断电功能，当地址未发生切换时可降低99%功耗。在未选通状态下（低电平有效CE1为高电平或低电平有效CE2为低电平，或低电平有效BHE与低电平有效BLE同时为高电平）可使器件进入待机模式。当满足以下条件时，输入输出引脚（I/O0至I/O15）将进入高阻抗状态： 设备未选中（低电平有效CE1为高电平或低电平有效CE2为低电平）、输出禁用（低电平有效OE为高电平）、字节高位使能与字节低位使能同时禁用（低电平有效BHE、低电平有效BLE为高电平），或正在进行写操作（低电平有效CE1为低电平、低电平有效CE2为高电平且低电平有效WE为低电平）。
- 极高速度：45ns
- 2.20V至3.60V宽电压范围
- 最大待机电流为12µA
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 2.2mA
- 利用低电平有效 CE1、低电平有效 CE2 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 未选中时自动断电
- CMOS工艺实现最佳速度与功耗
- 数据保持电压VCC为1.5V
- 48-ball VFBGA封装
- 汽车温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储器容量
16Mbit
SRAM 内存配置
1M x 16位
电源电压范围
2.2V 至 3.6V
封装类型
VFBGA
针脚数
48引脚
存取时间
45ns
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
SRAM类型
异步SRAM
存储密度
16Mbit
记忆配置
1M x 16bit
IC 外壳 / 封装
VFBGA
电源电压最小值
2.2V
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536