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隔离式 更多集成电路:
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY7.470 (CNY8.4411)10+ CNY5.290 (CNY5.9777) | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | 2放大器 | MOSFET | VSON-EP | 8V | 10引脚 | 17V | TTL | 3A | -40°C | 6A | 表面安装 | 125°C | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.710 (CNY16.6223)10+ CNY9.920 (CNY11.2096)50+ CNY9.380 (CNY10.5994)100+ CNY8.840 (CNY9.9892)250+ CNY8.310 (CNY9.3903)更多价格信息... | 隔离式 | 半桥，高压侧 | 1放大器 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | SOIC | 3.1V | 8引脚 | 17V | 反相, 非反相 | 10A | -40°C | 9A | 表面安装 | 125°C | 90ns | 90ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.240 (CNY26.2612)10+ CNY15.930 (CNY18.0009)50+ CNY15.130 (CNY17.0969)100+ CNY14.330 (CNY16.1929)250+ CNY13.570 (CNY15.3341)更多价格信息... | 隔离式 | 半桥 | 1放大器 | MOSFET | SOIC | 3.1V | 8引脚 | 5.5V | CMOS, TTL | 2A | -40°C | 3A | 表面安装 | 125°C | 45ns | 45ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.220 (CNY11.5486)10+ CNY6.100 (CNY6.893)100+ CNY5.290 (CNY5.9777) | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | 2放大器 | MOSFET | VSON-EP | 8V | 10引脚 | 17V | TTL | 4A | -40°C | 6A | 表面安装 | 125°C | - | - | ||||||
