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C2M0025120D
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
产品概述
Cree品牌的C2M0080120D是一款第二代Z-FET通孔N沟道碳化硅功率MOSFET, To-247封装. 该MOSFET采用C2M SiC MOSFET技术, 具有高阻断电压, 低导通电阻值, 高速开关, 低电容值, 易于并联并且驱动简单, 具有雪崩耐受性, 抗闭锁性能, 更高的系统效率, 低冷却要求以及更高的功率密度. 应用包括太阳能逆变器, 开关模式电源, 高压DC-DC转换器与电池充电器.
- 漏极至源极电压(Vds): 1.2kV
- 连续漏极电流: 90A
- 功耗: 463W
- 结温范围: -55°C至150°C
- Vgs为20V时, 低导通电阻值25mR
应用
电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业, 电机驱动与控制, 替代能源
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产品信息
技术文档 (2)
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- 1+
- 10+
- 30+
- 120+
| 数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
|---|---|---|
| 1+ | CNY595.93 CNY673.4009 | ( ) |
| 10+ | CNY565.15 CNY638.6195 | ( ) |
| 30+ | CNY556.57 CNY628.9241 | ( ) |
| 120+ | CNY548.47 CNY619.7711 | ( ) |
| 数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
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