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2N7002A-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 180 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号2N7002A-7
库存编号3127180RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续180mA
漏源接通状态电阻6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散370mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2N7002A-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and motor control.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Small surface mount package
- ESD protected gate, 1.2kV HBM, 1kV CDM
- Drain-source voltage is 60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle=1%) is 800mA at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 3.5ohm typ at VGS=5.0V, ID=0.115A, TJ=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
370mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
2N7002A-7 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002