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2N7002DW-7-F
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 230 mA, 13.5 ohm
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| 50+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 100+ | CNY0.897 (CNY1.0136) |
| 500+ | CNY0.553 (CNY0.6249) |
| 1500+ | CNY0.542 (CNY0.6125) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号2N7002DW-7-F
库存编号1713824
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道230mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道13.5ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2N7002DW-7-F是一款双N沟道增强型MOSFET, 设计具有低导通电阻RDS (ON), 同时保持卓越的开关性能. 该产品可用作为高效电源管理应用的理想选择.
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关性能
- 低输入/输出泄漏
- 超小型表面安装封装
- 无卤素
- UL94V-0阻燃等级
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
230mA
漏源通态电阻N沟道
13.5ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
2N7002DW-7-F 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006