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2N7002DWQ-7-F
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 50+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 100+ | CNY0.983 (CNY1.1108) |
| 500+ | CNY0.648 (CNY0.7322) |
| 1500+ | CNY0.636 (CNY0.7187) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号2N7002DWQ-7-F
库存编号3127181
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道230mA
连续漏极电流 Id P沟道230mA
漏源通态电阻N沟道4.4ohm
漏源导通电阻P沟道4.4ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道400mW
耗散功率P沟道400mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
230mA
漏源导通电阻P沟道
4.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
400mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
230mA
漏源通态电阻N沟道
4.4ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002