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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号AS2333FGE-7
库存编号3702787RL
技术数据表
通道数2放大器
增益带宽积350kHz
典型压摆率0.12V/µs
电源电压范围1.8V 至 5.5V, ± 900mV 至 ± 2.75V
IC 外壳 / 封装U-DFN3030
针脚数8引脚
放大器类型CMOS
轨至轨轨至轨输入/输出(RRIO)
输入偏移电压8µV
输入偏置电流70pA
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
放大器封装类型U-DFN3030
汽车质量标准-
带宽350kHz
放大器数量2个放大器
摆率0.12V/µs
电源类型单&双电源
产品概述
AS2333FGE-7 是一款采用斩波稳定技术设计的双通道 CMOS 运算放大器。该产品可提供超低输入失调电压(典型值为 8μV),且随时间和温度的漂移接近零。该技术还消除了大多数轨至轨输入运算放大器中存在的 1/f 噪声和交叉失真。这款高精度、低静态电流放大器具有高阻抗输入,其共模范围超出轨道 100mV,轨至轨输出在轨道 50mV 范围内波动。该器件针对低压单电源应用进行了优化,尤其适用于低功耗高精度应用。典型应用包括电池供电仪器、手持测试设备、医疗仪器、传感器信号调节、低压电流检测。
- 轨至轨输入和输出
- 电源电压范围: 1.8到5.5V
- 在 VS=5V、TA=+25°C、VS=5.0V、RL=10kohm 时,输入失调电压为 8μV (典型值)
- 在TA=-40°C 至 +85°C 时,输入失调电压漂移为 0.02μV/°C(典型值)
- 在VS=1.8V 至 5.5V,TA=-40°C 至 +125°C 时,电源抑制比为 1μV/V(典型值)
- 在(TA = +25°C, VS = 5.0V, RL = 10kohm)时,输入偏置电流为±70pA(典型值)
- 在CL=100p,TA=+25°C,VS=5.0V,RL=10kohm 时,增益带宽积为 350kHz(典型值)
- 在 G=+1、TA=+25°C、VS=5.0V、RL=10kohm 时,压摆率为 0.12V/μs(典型值)
- U-DFN3030-8 (E 型)封装
- 工作环境温度范围为 -40 至 +125°C
技术规格
通道数
2放大器
典型压摆率
0.12V/µs
IC 外壳 / 封装
U-DFN3030
放大器类型
CMOS
输入偏移电压
8µV
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
合规
-
放大器封装类型
U-DFN3030
带宽
350kHz
摆率
0.12V/µs
增益带宽积
350kHz
电源电压范围
1.8V 至 5.5V, ± 900mV 至 ± 2.75V
针脚数
8引脚
轨至轨
轨至轨输入/输出(RRIO)
输入偏置电流
70pA
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
汽车质量标准
-
放大器数量
2个放大器
电源类型
单&双电源
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001