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BS170F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY2.660 (CNY3.0058) |
| 1500+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BS170F
库存编号9526005
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续150mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散330mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BS170F 是一款 N 沟道增强型垂直 MOSFET。该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，使其成为高效电源管理和电机控制应用的理想之选。
- 低导通电阻、低栅极阈值电压
- 低输入电容、快速开关速度、小型表面贴装封装
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 60V
- 在TA = +25°C 时，连续漏极电流为 0.15A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 3A
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = +25°C 时，功率耗散为 330mW
- 在VGS = 10V、ID = 200mA、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 5 ohm
- SOT23封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033