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BS170F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BS170F
库存编号9526005
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续150mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散330mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BS170F is a N-channel enhancement mode vertical MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management and motor controls applications.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed, small surface-mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C
- Continuous drain current at TA = +25°C is 0.15A
- Pulsed drain current is 3A at TA = +25°C
- Gate source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Power dissipation at TA = +25°C is 330mW
- Static drain-source on-state resistance is 5ohm max at VGS = 10V, ID = 200mA, TA = +25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033