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BSS138-7-F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.650 (CNY0.7345) |
| 50+ | CNY0.516 (CNY0.5831) |
| 100+ | CNY0.382 (CNY0.4317) |
| 500+ | CNY0.290 (CNY0.3277) |
| 1500+ | CNY0.285 (CNY0.322) |
| 3000+ | CNY0.271 (CNY0.3062) |
| 7500+ | CNY0.257 (CNY0.2904) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS138-7-F
库存编号1843693
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻3.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BSS138-7-F是一款50V N沟道增强型MOSFET, 带镀雾锡端子. 符合MIL-STD-202, method 208, 端子可焊接. 外壳由模制塑料 (UL94V-0)制成. MOSFET具有低栅极阈值电压, 快速开关速度和低输入电容.
- 低导通电阻
- 低输入/输出泄漏
- 无卤素, 无锑
- 绿色设备
- 符合AEC-Q101标准, 高可靠性
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008