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BSS138W-7-F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 100+ | CNY0.598 (CNY0.6757) |
| 500+ | CNY0.441 (CNY0.4983) |
| 1500+ | CNY0.433 (CNY0.4893) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS138W-7-F
库存编号1713833
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻3.5ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BSS138W-7-F is a N-channel enhancement-mode DMOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
BSS138W-7-F 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006