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BSS84-7-F
功率场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 5+ | CNY0.793 (CNY0.8961) |
| 50+ | CNY0.618 (CNY0.6983) |
| 100+ | CNY0.442 (CNY0.4995) |
| 500+ | CNY0.352 (CNY0.3978) |
| 1500+ | CNY0.345 (CNY0.3898) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS84-7-F
库存编号1843716
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续130mA
漏源接通状态电阻10ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSS84-7-F是一款P沟道增强型MOSFET, 带有可焊接镀雾锡端子, 符合MIL-STD-202标准. 该器件设计最大限度地降低导通电阻RDS (ON), 同时保持卓越的开关性能, 适用于高效电源管理应用.
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 无卤素, 绿色设备
- J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
- UL94V-0阻燃等级
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
130mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008