打印页面
DMC1028UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 12 V, 12 V, 6 A, 6 A, 0.017 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC1028UFDB-7
库存编号3944017RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds12V
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
电流, Id 连续6A
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.017ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.017ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.017ohm
晶体管封装类型U-DFN2020
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd1.36W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.36W
耗散功率P沟道1.36W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.017ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.36W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.017ohm
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
U-DFN2020
功耗 Pd
1.36W
耗散功率N沟道
1.36W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001