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DMC1229UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
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| 10+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 100+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 500+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 1000+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
| 5000+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC1229UFDB-7
库存编号3680109
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道5.6A
连续漏极电流 Id P沟道5.6A
漏源通态电阻N沟道0.017ohm
漏源导通电阻P沟道0.017ohm
晶体管封装类型U-DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
5.6A
漏源导通电阻P沟道
0.017ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
5.6A
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
晶体管封装类型
U-DFN2020
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121