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DMC2025UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
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| 10+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
| 100+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
| 500+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 1000+ | CNY0.780 (CNY0.8814) |
| 5000+ | CNY0.776 (CNY0.8769) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2025UFDB-7
库存编号3680110
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
晶体管封装类型U-DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
U-DFN2020
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121