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DMC25D1UVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 3.8 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC25D1UVT-7
库存编号3944031RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续500mA
漏源电压Vds P沟道25V
在电阻RDS（上）3.8ohm
连续漏极电流 Id N沟道500mA
连续漏极电流 Id P沟道500mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道3.8ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道3.8ohm
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值850mV
针脚数6引脚
功耗 Pd1.3W
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
500mA
在电阻RDS（上）
3.8ohm
连续漏极电流 Id P沟道
500mA
漏源通态电阻N沟道
3.8ohm
漏源导通电阻P沟道
3.8ohm
阈值栅源电压最大值
850mV
功耗 Pd
1.3W
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
500mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOT-26
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001