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DMC3021LSD-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.600 | CNY23.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.600 (CNY5.198) |
| 50+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
| 100+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
| 500+ | CNY2.170 (CNY2.4521) |
| 1000+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3021LSD-13
库存编号
复卷3577044RL
切割卷带3577044
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道8.5A
连续漏极电流 Id P沟道8.5A
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
漏源导通电阻P沟道0.014ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
8.5A
漏源导通电阻P沟道
0.014ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8.5A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000117