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DMC4050SSD-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.045 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC4050SSD-13
库存编号3944060RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续5.3A
连续漏极电流 Id N沟道5.3A
在电阻RDS（上）0.02ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.3A
漏源通态电阻N沟道0.045ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.045ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.3V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.8W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.8W
耗散功率P沟道1.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
5.3A
连续漏极电流 Id P沟道
5.3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.8W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
5.3A
在电阻RDS（上）
0.02ohm
漏源通态电阻N沟道
0.045ohm
漏源导通电阻P沟道
0.045ohm
阈值栅源电压最大值
1.3V
功耗 Pd
1.8W
耗散功率N沟道
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001