打印页面
DMG1012T-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, 表面安装
1,503,299 有货
需要更多？
34486 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
385560 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
1083253 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 50+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
| 100+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
| 500+ | CNY0.658 (CNY0.7435) |
| 1500+ | CNY0.645 (CNY0.7288) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY6.80 (CNY7.68 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1012T-7
库存编号2543524
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续630mA
漏源接通状态电阻0.4ohm
晶体管封装类型SOT-523
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散280mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMG1012T-7是一款N沟道增强型MOSFET。
- 低导通电阻，低栅极阈值电压
- 低输入电容，快速开关速度
- 低输入/输出漏电流，ESD防护高达2kV
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 20V
- 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±6V
- 在TA=+25°C稳态下，持续漏极电流为0.63A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 3A
- 在TA=+25°C时总功耗为0.28W
- SOT523封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
630mA
晶体管封装类型
SOT-523
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
DMG1012T-7 的替代之选
找到 2 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000053