打印页面
DMG4822SSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.021 ohm
1,949 有货
需要更多？
1949 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 10+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
| 100+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
| 500+ | CNY1.780 (CNY2.0114) |
| 1000+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
| 5000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY8.01 (CNY9.05 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG4822SSD-13
库存编号3944065
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道10A
连续漏极电流 Id P沟道10A
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.42W
耗散功率P沟道1.42W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
10A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.42W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
10A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001