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DMG4822SSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.021 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY3.260 (CNY3.6838) |
| 500+ | CNY2.030 (CNY2.2939) |
| 1000+ | CNY2.000 (CNY2.260) |
| 5000+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG4822SSD-13
库存编号3944065RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续10A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道10A
在电阻RDS（上）0.0134ohm
连续漏极电流 Id P沟道10A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.42W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.42W
耗散功率P沟道1.42W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
10A
连续漏极电流 Id N沟道
10A
连续漏极电流 Id P沟道
10A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.42W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0134ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
1.42W
耗散功率N沟道
1.42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001