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DMG6601LVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6601LVT-7
库存编号2543535RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续3.8A
在电阻RDS（上）-
连续漏极电流 Id N沟道3.8A
连续漏极电流 Id P沟道3.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.034ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.034ohm
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值1V
针脚数6引脚
功耗 Pd850mW
耗散功率N沟道850mW
耗散功率P沟道850mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
这款MOSFET设计具有低导通电阻, 同时保持优异的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。
- 互补式MOSFET
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
-
连续漏极电流 Id P沟道
3.8A
漏源通态电阻N沟道
0.034ohm
漏源导通电阻P沟道
0.034ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
850mW
耗散功率P沟道
850mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.8A
连续漏极电流 Id N沟道
3.8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSOT-26
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
850mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
技术文档 (1)
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找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005