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DMHC3025LSD-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMHC3025LSD-13
库存编号2543514RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.019ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.019ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd1.5W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
6A
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.019ohm
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
漏源导通电阻P沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
1.5W
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005