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DMN1019USN-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, 表面安装
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN1019USN-7
库存编号3127593
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续9.3A
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型SC-59
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散680mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9.3A
晶体管封装类型
SC-59
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
680mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121