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DMN1025UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.018 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 50+ | CNY2.690 (CNY3.0397) |
| 100+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 500+ | CNY1.440 (CNY1.6272) |
| 1500+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN1025UFDB-7
库存编号3944085
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道6.9A
连续漏极电流 Id P沟道6.9A
漏源通态电阻N沟道0.018ohm
漏源导通电阻P沟道0.018ohm
晶体管封装类型UDFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
6.9A
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
6.9A
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
晶体管封装类型
UDFN2020
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001