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DMN2008LFU-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0047 ohm
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|---|---|
| 1+ | CNY6.040 (CNY6.8252) |
| 10+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
| 100+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 500+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
| 1000+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
| 5000+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2008LFU-7
库存编号3944090
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道14.5A
连续漏极电流 Id P沟道14.5A
漏源通态电阻N沟道0.0047ohm
漏源导通电阻P沟道0.0047ohm
晶体管封装类型U-DFN2030
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
14.5A
漏源导通电阻P沟道
0.0047ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
14.5A
漏源通态电阻N沟道
0.0047ohm
晶体管封装类型
U-DFN2030
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001