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DMN2041UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY6.960 (CNY7.8648) |
| 100+ | CNY6.820 (CNY7.7066) |
| 500+ | CNY6.670 (CNY7.5371) |
| 1000+ | CNY6.530 (CNY7.3789) |
| 5000+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
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最低: 1
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2041UFDB-7
库存编号3680126
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道4.7A
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型U-DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4.7A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
晶体管封装类型
U-DFN2020
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121