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DMN2050LFDB-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2050LFDB-7
库存编号3944096RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续4.5A
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
在电阻RDS（上）0.028ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.028ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型UDFN2020
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd1.42W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.42W
耗散功率P沟道1.42W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.42W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.028ohm
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
漏源导通电阻P沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
UDFN2020
功耗 Pd
1.42W
耗散功率N沟道
1.42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001