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DMN3006SCA6-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0046 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3006SCA6-7
库存编号3589325RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续13A
在电阻RDS（上）0.0046ohm
连续漏极电流 Id N沟道13A
连续漏极电流 Id P沟道13A
漏源通态电阻N沟道0.0046ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0046ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
晶体管封装类型X4-DSN3519
功耗 Pd800mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道800mW
耗散功率P沟道800mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0046ohm
连续漏极电流 Id P沟道
13A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
X4-DSN3519
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
800mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
13A
连续漏极电流 Id N沟道
13A
漏源通态电阻N沟道
0.0046ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0046ohm
阈值栅源电压最大值
2.2V
功耗 Pd
800mW
耗散功率N沟道
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121