DMN3042L-7

DMN3042L-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(on))，并保持出色的开关性能，因此非常适合高效率电源管理应用。典型应用包括电池充电、电源管理功能、DC-DC 转换器和便携式电源适配器。

• 低导通电阻、低栅极阈值电压
• 输入电容小，开关速度快
• 低输入/输出泄漏
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 30V
• 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±12V
• 在TA = +25°C 时，连续漏极电流为 5.8A，稳态，VGS = 10V
• 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 30A
• 在TA = +25°C 时，总功耗为 0.72W
• SOT23（标准）封装
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。