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DMN3731U-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 100+ | CNY0.639 (CNY0.7221) |
| 500+ | CNY0.474 (CNY0.5356) |
| 1000+ | CNY0.332 (CNY0.3752) |
| 5000+ | CNY0.243 (CNY0.2746) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3731U-7
库存编号3943613
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续900mA
漏源接通状态电阻0.46ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值950mV
功率耗散580mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMN3731U-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，因此非常适合高效率电源管理应用。典型应用包括负载开关、便携式应用和电源管理功能。
- 低 VGS（TH），可直接由电池驱动
- 低 RDS（ON），ESD 保护栅极
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 30V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±8V
- 在TA = +25°C、VGS = 4.5V时，稳态时的连续漏极电流为 0.9A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 3A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 0.4W
- 在TA = +25°C 时，本体二极管最大连续正向电流为 0.55A
- SOT23 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
900mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
580mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.46ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001