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DMN53D0LV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
| 10+ | CNY2.170 (CNY2.4521) |
| 100+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 500+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 1000+ | CNY0.603 (CNY0.6814) |
| 5000+ | CNY0.595 (CNY0.6724) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN53D0LV-7
库存编号3828413
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道350mA
连续漏极电流 Id P沟道350mA
漏源通态电阻N沟道1.6ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道430mW
耗散功率P沟道430mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
350mA
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
430mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
350mA
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
430mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001