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DMN5L06K-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.350 (CNY1.5255) |
| 50+ | CNY0.927 (CNY1.0475) |
| 100+ | CNY0.764 (CNY0.8633) |
| 500+ | CNY0.602 (CNY0.6803) |
| 1500+ | CNY0.490 (CNY0.5537) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN5L06K-7
库存编号1713852
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续300mA
漏源接通状态电阻2ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
DMN5L06K-7 是一款N沟道增强型MOSFET, 模压塑料外壳, 可焊接, 镀雾锡退火合金42引线端子, 符合MIL-STD-202标准。新一代50V MOSFET降低了RDS (ON), 并保持出色的开关性能。该设备非常适合用于电池电源管理和负载开关应用。
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 静电保护高达2KV
- 无卤素, 绿色设备
- J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
- UL94V-0 阻燃等级
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000048