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DMN601VKQ-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
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|---|---|
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| 500+ | CNY0.934 (CNY1.0554) |
| 1000+ | CNY0.665 (CNY0.7514) |
| 5000+ | CNY0.577 (CNY0.652) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN601VKQ-7
库存编号3944122RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续305mA
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道305mA
在电阻RDS（上）2ohm
连续漏极电流 Id P沟道305mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道2ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道2ohm
晶体管封装类型SOT-563
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数6引脚
功耗 Pd250mW
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
305mA
连续漏极电流 Id N沟道
305mA
连续漏极电流 Id P沟道
305mA
漏源通态电阻N沟道
2ohm
漏源导通电阻P沟道
2ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
250mW
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
2ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001