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DMN6075S-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN6075S-7
库存编号3127343
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2A
漏源接通状态电阻0.085ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散800mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMN6075S-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括背光、电源管理功能、DC-DC 转换器。
- 低输入电容、低导通电阻
- 快速开关速度
- 在TA=+25°C 时，漏极至源极电压为 60V
- 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±20V
- 在TA=+25°C、VGS=10V、Tj=25°C 时，漏极连续电流为 2A
- 在TA=+25°C 时，最大体二极管正向电流为 2A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 12A
- 在VGS = 10V、ID = 3.2A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大值为 85 mohm
- SOT23 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121